c類介電常數和介質損耗測試儀由Q表、測試裝置，電感器及標準介質樣品組成，能對絕緣材料進行高頻介質損耗角正切值（tanδ）和介電常數（ε）的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

基于串聯諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統(tǒng)的二次儀表，其數碼化主調電容器的創(chuàng)新設計代表了行業(yè)的zui高成就，
隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有先進的人機界面，采用LCD液晶屏顯示各測量因子：Q值、
電感L、主調電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-
160MHz，頻率精度高達1×10-6。國標GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測定電工材料高頻介質損耗角正切值（tanδ）和介
電常數（ε），把被測材料作為平板電容的介質，與輔助電感等構成串聯諧振因子引入Q表的測試回路，以獲取zui高的測試靈
敏度。因而Q表法的測試結果更真實地反映了介質在高頻工作狀態(tài)下的特征。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

2 主要技術指標：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

      tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

      tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

2.2 Q表

2.3 介質損耗裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：
    c類:Φ38mm和Φ50mm二種.
    c類:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：
      0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 
      0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：
      ±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：
      25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
      ≤2.5×10-4

2.5 高頻介質樣品（選購件）：
  在現行高頻介質材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復性和準確性。

電感:

線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH